반도체, 신에너지 시스템, 재료 특성 분석 등 분야에서 고신뢰성 테스트 장비에 대한 수요가 증가함에 따라 SIGLENT는 ODP6000B 시리즈 광학 절연 전압 프로브를 출시합니다.
ODP6000B 시리즈는 부동 고전압 신호, 3세대 반도체 전력 소자, 신에너지 인버터 테스트를 위한 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공합니다.

500MHz 및 1GHz 대역폭 옵션을 갖춘 ODP6000B 시리즈는 첨단 광섬유 전송 기술을 활용합니다. 전기-광-전기 변환을 통해 신호 입력과 출력 간의 완벽한 전기적 절연을 달성하여
매우 높은 공통 모드 제거비(CMRR)를 제공합니다. 따라서 스위치 모드 전원 공급 장치, 모터 드라이브, 신에너지 인버터 및 가변 주파수 드라이브 테스트에 매우 적합합니다.
특히 질화갈륨(GaN) 및 탄화규소(SiC)와 같은 3세대 반도체를 사용하는 고주파 회로 테스트에서 ODP6000B는 고주파 공통 모드 노이즈를 효과적으로 억제하여 정밀한 측정 결과를 제공합니다.
기존 프로브에 비해 광학적으로 분리된 프로브는 탁월한 CMRR과 절연 전압을 제공합니다. 저주파 DC 신호 측정 시 최대 160dB의 탁월한 CMRR을 달성하고, 1GHz에서도 70dB의 견고한 CMRR을 유지합니다. 이를 통해 저주파와 고주파 모두에서 공통 모드 간섭을 효과적으로 억제합니다.
또한, 이 프로브는 최대 ±60kV의 높은 절연 전압 정격을 제공하여 부동 고전압 신호 테스트 중 안전한 전기적 절연을 보장하고 엔지니어와 테스트 장비를 위험한 고전압 회로로부터 보호합니다.
고전압 또는 고전력 회로를 테스트할 때, ODP6000B 시리즈는 다양한 감쇠기와 결합하여 신호대잡음비(SNR) 저하 없이 밀리볼트에서 킬로볼트까지 광범위한 전압 신호를 측정할 수 있습니다. 이처럼 뛰어난 다재다능함은 와이드 밴드갭(WBG) 반도체 회로 테스트에 효율적인 솔루션을 제공합니다.
ODP6000B 시리즈 전기 사양
| ODP6050B | ODP6100B | |
| 대역폭 | 500MHz | 1GHz |
| 상승 시간 | ≤0.7나노초 | ≤0.4나노초 |
| 터미널 부하 | 50Ω | 50Ω |
| 출력 전압 범위 | ±0.5V | ±0.5V |
| DC 정확도 | ≤ ±1% | ≤ ±1% |
| 절연 전압 (DC + 피크 AC) | ±60kV | |
| CMRR 일반적인 값 (표준 감쇠기 사용)
ODP6000B 표준 50X/1000X/2000X/5000X 감쇠기 | DC-10MHz: 160dB | |
| 10MHz-100MHz: 110dB | ||
| 100MHz-300MHz: 100dB | ||
| 300MHz-500MHz: 90dB | ||
| 500MHz-800MHz: 80dB | ||
| 800MHz-1000MHz: 70dB | ||
| 전원 공급 방식 | 프런트 엔드: 배터리 구동, 작동 시간은 약 8시간, 대기 시간은 약 30일 | |
| 후면: USB 5V/2A | ||
| 자동 보정 | 예 | |
| 광섬유 길이 | 약 2m | |
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